| 描述 | 2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRE | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 238 毫欧 @ 1A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 2.4nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10V |
| 功率 - 最大值 | 900mW（Tc） | 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | TSMT6（SC-95） |
