描述 | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK | FET 特点 | 标准型 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 150 毫欧 @ 12A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 23nC @ 20V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V |
功率 - 最大 | 53W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LE,MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LE_Q,MOSFET TO-251AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LE_R4821,MOSFET N-Ch Power MOSFET
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM,MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM_Q,MOSFET TO-252AA N-Ch Power
【Fairchild Semiconductor】RFD3055LESM9A,MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】RFD3055SM_Q,MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm