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  • SI1926DL-T1-E3

SI1926DL-T1-E3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.1395
  • 6000$0.1305
  • 15000$0.1215
  • 30000$0.11475
  • 75000$0.1125
产品属性
描述MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C370mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.4 欧姆 @ 340mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs1.4nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds18.5pF @ 30V
功率 - 最大510mW安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363供应商设备封装SC-70-6
包装带卷 (TR)其它名称SI1926DL-T1-E3TR

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