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SI3443DV

描述MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 4.4A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1079pF @ 10V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)供应商设备封装Micro6?(TSOP-6)
包装管件其它名称*SI3443DV

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