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  • SI6473DQ-T1-GE3

SI6473DQ-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET?
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 9.5A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs70nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds-
功率 - 最大1.08W安装类型表面贴装
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)供应商设备封装8-TSSOP
包装带卷 (TR)

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