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SI6475DQ-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:12 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V

参考价格

  • 数量单价
  • 2140¥5.52
  • 3000¥4.83
产品属性
描述MOSFET 12V 10A 1.75W 11mohm @ 4.5V漏极连续电流7.8 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)11 mOhms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TSSOP-8封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散1.08 W
工厂包装数量3000零件号别名SI6475DQ-GE3

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