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SIB410DK-T1-GE3

制造商：-
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：30 V
漏极连续电流：9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.034 Ohms

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参考价格

数量单价
1￥4.14
25￥2.83
100￥2.42
250￥2.07
500￥1.73

产品属性

描述	MOSFET 30V 9A N-CH MOSFET	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerPAK SC-75-6L	封装	Reel
正向跨导 gFS（最大值/最小值）	30 S	栅极电荷 Qg	10 nC
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	13 W
零件号别名	SIB410DK-GE3

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