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  • SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品属性
描述MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C34 毫欧 @ 6.6A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs10.16nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds535pF @ 10V
功率 - 最大13W安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SC-75-6L供应商设备封装PowerPAK? SC-75-6L 单
包装带卷 (TR)

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