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  • SIZ350DT-T1-GE3

SIZ350DT-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 现有数量:2,379现货
  • 价格:1 : ¥8.98000剪切带(CT)3,000 : ¥3.81794卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET? Gen IV
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR技术MOSFET(金属氧化物)
配置2 N-通道(双)FET 功能-
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)18.5A(Ta),30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.75 毫欧 @ 15A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)20.3nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)940pF @ 15V
功率 - 最大值3.7W(Ta),16.7W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-PowerWDFN
供应商器件封装8-Power33(3x3)

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