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  • SiZ730DT-T1-GE3

SiZ730DT-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:20 V
  • 漏极连续电流:12.9 A, 26.4 A

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥6.62
  • 10¥5.73
  • 100¥4.90
  • 250¥4.62
  • 500¥4.49
产品属性
描述MOSFET 30V 16/35A 27/48W 9.3/3.9mohm @ 10V电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0075 Ohms, 0.0032 Ohms
配置Dual安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAIR封装Reel
下降时间7 ns, 10 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)48 S, 80 S
栅极电荷 Qg15.6 nC, 43 nC功率耗散3.9 W, 4.6 W
上升时间15 ns零件号别名SIZ730DT-GE3

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