| 描述 | MOSFET 30V 16A / 35A Dual N-Ch MOSFET | 漏极连续电流 | 12.9 A, 23.4 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 7.5 mOhms, 3.8 mOhms | 配置 | Dual |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | PowerPAIR 6 mm x 3.7 mm | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 7 ns, 10 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 48 S, 85 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 3.9 W, 4.6 W |
| 上升时间 | 15 ns | 零件号别名 | SIZ790DT-GE3 |
