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  • SIZ728DT-T1-GE3

SIZ728DT-T1-GE3

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:25 V
  • 闸/源击穿电压:20 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥11.94
  • 25¥9.11
  • 100¥7.87
  • 250¥6.76
  • 500¥5.93
产品属性
描述MOSFET 25V 16A / 35A N-Ch MOSFET漏极连续电流14.2 A, 23 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0077 Ohms at 10 V, 0.0035 Ohms at 10 V配置Dual
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体PowerPAIR 6 mm x 3.7 mm封装Reel
下降时间10 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)37 S, 80 S
最小工作温度- 55 C功率耗散2.5 W, 3 W
上升时间15 ns, 18 ns零件号别名SIZ728DT-GE3

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