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  • US6K4TR

US6K4TR

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.21235
  • 6000$0.19865
  • 24000$0.17468
  • 51000$0.17125
描述MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA闸电荷(Qg) @ Vgs2.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds110pF @ 10V功率 - 最大1W
安装类型表面贴装封装/外壳6-SMD,扁平引线
供应商设备封装TUMT6包装带卷 (TR)

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