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  • 2N7000P

2N7000P

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:40 V
  • 漏极连续电流:0.2 A
产品属性
描述MOSFET -配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92最小工作温度- 55 C
功率耗散400 mW

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