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CSD86311W1723

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.53
  • 10$1.356
  • 25$1.224
  • 100$1.071
  • 250$0.93924
描述MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA系列NexFET?
FET 型2 个 N 沟道(双)FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 2A,8VId 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds585pF @ 12.5V
功率 - 最大1.5W安装类型表面贴装
封装/外壳12-UFBGA,DSBGA供应商设备封装12-DSBGA(2.43x1.96)
包装Digi-Reel?其它名称296-27599-6

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