| 描述 | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | 家庭 | FET - 阵列 |
|---|---|---|---|
| 系列 | NexFET? | FET 型 | 2 N 沟道（半桥） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9.6 毫欧 @ 14A，8V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.1V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 920pF @ 12.5V | 功率 - 最大 | 6W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-LDFN |
| 供应商设备封装 | 8-SON（3.3x3.3） | 包装 | Digi-Reel? |
| 其它名称 | 296-28216-6 |
