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FDC6312P_Q

描述MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL电阻汲极/源极 RDS(导通)0.115 Ohms
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SSOT-6
封装Reel下降时间13 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)5.3 S最小工作温度- 55 C
功率耗散0.96 W上升时间13 ns
典型关闭延迟时间18 ns

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