| 描述 | MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta），2A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 2.5A，10V，130 毫欧 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 6.6nC @ 10V，5.7nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 282pF @ 15V，185pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 700mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SuperSOT?-6 |
【Fairchild Semiconductor】FDC633N,MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC633N_F095,MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC634P,MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC636P,MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC636P_F095,MOSFET -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN,MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN_F095,MOSFET 2.5V N-CH POWERTRENCH
【Fairchild Semiconductor】FDC637BNZ,MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
