| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 42 毫欧 @ 5.2A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 538pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDC633NTR |
在备用端(vin2)，希望电压降最小，以最大限度延长备用电源(不管是电池、超级电容还是其他电压源)的使用寿命，虽然0.6v的压降约为锂离子电池全充电(4.1v) 输出的15%。 肖特基二极管将正向压降降低了0.3~0.5v，在一定程度上使情况有改善，但用fet代替二极管将压降降低到0.1v。要制作一低正向压降"fet或"电源，需要在图1所示的每个功率通道各加一fet，这些fet受电源序列发生器(u1)控制。 可以在vin1通道使用一fdc633n晶体管(飞兆公司产品)，在vin2通道使用一fdn304p，将vin1和vin2上的损失降低到50mv以下。q1的选择要考虑其电流处理能力和低导通电阻。q2的选择考虑其低栅极-源极电压(低至1.8v，等效两个枯竭的各0.9v aa电池)和低导通电阻。 两个fet均反向安装以使其本身二极管反偏压，这可避免从一个电源切换到另一电源时的过电流，使转换平缓。 u1用作墙上适配器的电源感测器和去抖动电路，使用一可编程延迟(对典型固定的200ms延迟使用max6819)监控vin1，确保墙上 ...
【Fairchild Semiconductor】FDC633N_F095,MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC634P,MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC636P,MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC636P_F095,MOSFET -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN,MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN_F095,MOSFET 2.5V N-CH POWERTRENCH
【Fairchild Semiconductor】FDC637BNZ,MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC638APZ,MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
