| 描述 | MOSFET SO-8 N-CH 30V | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.02 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 7 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 2.5 W |
| 上升时间 | 9 ns | 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDS6679AZ,MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680_L99Z,MOSFET N-Channel PWM Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A_Q,MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V
【Fairchild Semiconductor】FDS6680AS,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC