| 描述 | MOSFET P-CH 80V 2.1A 8SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 80V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 183 毫欧 @ 2.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 879pF @ 40V |
| 功率 - 最大 | 1.6W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS8935-NDFDS8935TR |
【Fairchild Semiconductor】FDS8947A,MOSFET P-CH DUAL 30V 4A 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8949,MOSFET N-CH DUAL 40V 6A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8949_F085,MOSFET N-CH 40V DUAL 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8958,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8958A,MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS8958A_F085,MOSFET N/P-CH 30V DUAL 8-SOIC