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  • FDT434P

FDT434P

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 4000$0.24346
  • 8000$0.22667
  • 12000$0.21827
  • 28000$0.20988
  • 100000$0.20148
描述MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds1187pF @ 10V功率 - 最大1.1W
安装类型表面贴装封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装SOT-223-3包装带卷 (TR)
其它名称FDT434P-ND

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