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FDT434P_Q

描述MOSFET SOT-223 P-CH -20V漏极连续电流- 6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.05 Ohms配置Single Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-223封装Reel
下降时间30 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)6.5 S
最小工作温度- 55 C功率耗散3 W
上升时间15 ns典型关闭延迟时间45 ns

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