| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 130 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 205pF @ 15V | 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-4 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDT458P-NDFDT458PTR |
【Fairchild Semiconductor】FDT459N,MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT461N,MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT55AN06LA0,MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
【Fairchild Semiconductor】FDT86102LZ,MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】FDT86106LZ,MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】FDT86113LZ,MOSFET N-CH 100V DUAL LL SOT-223