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  • FDT461N

FDT461N

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 欧姆 @ 540mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs4nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds74pF @ 25V
功率 - 最大1.13W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商设备封装SOT-223-3
包装带卷 (TR)

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