描述 | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 25V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 220mA |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 4 欧姆 @ 400mA,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1.06V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
功率 - 最大 | 350mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | SOT-23 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDV301N_NB9V005-NDFDV301N_NB9V005TR |
【Fairchild Semiconductor】FDV302P,MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV302P_D87Z,MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV302P_NB8V001,MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV303N,MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
【Fairchild Semiconductor】FDV303N_NB9U008,MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23