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  • FDZ298N_Q

FDZ298N_Q

描述MOSFET 20V/12V NCh MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)27 m Ohms
配置Single Triple Drain Quint Source最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SSOT-6
封装Reel下降时间7 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散1.7 W
上升时间7 ns典型关闭延迟时间14 ns

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