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FQA19N20

描述MOSFET漏极连续电流23 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.15 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-3P封装Tube
下降时间80 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散190 W上升时间190 ns
工厂包装数量450典型关闭延迟时间55 ns

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