| 描述 | MOSFET 200V N-Ch MOSFET | 漏极连续电流 | 9.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.36 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 72 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 0.55 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 72 W |
| 上升时间 | 92 ns | 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
【Fairchild Semiconductor】FQP10N20CTSTU,MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP10N60C,MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP10N60C_Q,MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40,MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40C,MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220
【Fairchild Semiconductor】FQP11N40C_Q,MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET