| 描述 | IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB | IGBT 类型 | NPT |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V | Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.7V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 35A | 功率 - 最大 | 298W |
| 输入类型 | 标准型 | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AB |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | HGT1S10N120BNST-NDHGT1S10N120BNSTTR |
【Fairchild Semiconductor】HGT1S12N60A4DS,IGBT SMPS N-CH 600V D2PAK
【Fairchild Semiconductor】HGT1S12N60A4S9A,IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S14N36G3VLS,IGBT ESD N-CHAN 380V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S14N36G3VLT,IGBT ESD N-CHAN 380V TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S14N40F3VLS,IGBT 晶体管 14a 380V Logic Level
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N35G3VLS,IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N36G3VL,IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA
