| 描述 | IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
|---|---|---|---|
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 2.7V @ 15V，12A | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 54A |
| 功率 - 最大 | 167W | 输入类型 | 标准型 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AB | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | HGT1S12N60A4S9ATR |
【Fairchild Semiconductor】HGT1S14N36G3VLS,IGBT ESD N-CHAN 380V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S14N36G3VLT,IGBT ESD N-CHAN 380V TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S14N40F3VLS,IGBT 晶体管 14a 380V Logic Level
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N35G3VLS,IGBT ESD N-CHAN 350V TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N36G3VL,IGBT ESD N-CHAN 360V TO-262AA
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N36G3VLS,IGBT 晶体管 20A 360V Clamp
【Fairchild Semiconductor】HGT1S20N60A4S9A,IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB
