| 宽度 | 1.5mm | 封装类型 | TSOP |
|---|---|---|---|
| 尺寸 | 3 x 1.5 x 0.9mm | 引脚数目 | 6 |
| 最低工作温度 | -55 °C | 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大栅源电压 | ±20 V | 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大漏源电阻值 | 0.085 | 最大连续漏极电流 | 4 A |
| 最高工作温度 | +150 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
| 通道类型 | P | 配置 | 四漏极、单 |
| 长度 | 3mm | 高度 | 0.9mm |
【International Rectifier】IRF5800TR,MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5800TRPBF,MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5801TRPBF,MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5802TR,MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5802TRPBF,MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5803D2,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC