描述 | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 4A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 535pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) | 供应商设备封装 | Micro6?(TSOP-6) |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF5800TRPBF-NDIRF5800TRPBFTR |
【International Rectifier】IRF5801TRPBF,MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5802TR,MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5802TRPBF,MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
【International Rectifier】IRF5803D2,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2PBF,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
【International Rectifier】IRF5803D2TR,MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC