| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11.5 毫欧 @ 12A，7V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2270pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET? 等容 MQ | 供应商设备封装 | DIRECTFET? MQ |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IRF6604TR |
作在1至2mhz的频率范围。 irf6607很好地满足了这样的要求，它的导通电阻仅2.7mω，栅极电荷qgd为16nc，qg为50nc。它采用directfet封装，芯片装在铜壳中，铜壳直接装在印制电路板上。栅极和源极的面积很大，是直接焊到板上，漏极则压焊在铜壳顶部，因此封装本身的电阻很小，电感也很小。directfet的封装电阻只0.1mω（不包括芯片的电阻）、寄生电感为0.6nh。因此，d irctfet可在1mhz至2mhz的频率范围内保持低损耗。2002年早些时侯推出的irf6604是用作控制开关的directfet封装30v mosfet，导通电阻为8mω、qgd仅3.7nc。ir公司电脑产品销售经理carl blake说，在一个2相降压转换器实例中，每相用两只dirctfet （用irf6607作同步开关，用irf6604 作控制开关），气流速度为425lfm，输入为12v，输出为1.7v，开关频率为2mhz，每相输出电流为30a，效率为77%，当每相输出电流为20a时的效率为81%。与使用so-8封装的mosfet相比，由于directfet的寄生电感很小，脉冲波形中 ...
【International Rectifier】IRF6604TR1,MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6607,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6607TR1,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6608,MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6608TR1,MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609TR1,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6609TR1PBF,MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
