宽度 | 5.05mm | 封装类型 | DirectFET MZ |
---|---|---|---|
尺寸 | 5.45 x 5.05 x 0.6mm | 引脚数目 | 7 |
最低工作温度 | -40 °C | 最大功率耗散 | 2800 mW |
最大栅源电压 | ±20 V | 最大漏源电压 | 100 V |
最大漏源电阻值 | 0.022 | 最大连续漏极电流 | 8.3 A |
最高工作温度 | +150 °C | 每片芯片元件数目 | 1 |
类别 | 功率 MOSFET | 通道模式 | 增强 |
通道类型 | N | 配置 | 双源、四漏极、单 |
长度 | 5.45mm | 高度 | 0.6mm |
rpbf与其他采用次级同步整流插座的增强so-8器件相比,当每个插座所使用的增强so-8器件的数目相同时,新的directfet器件的效率可提高0.4%。此外,当每个插座使用两个增强so-8器件时,ir的新器件也能提供同样7安培的电流和满载效率。在同一项分析中,每个插座如果采用两颗irf6641trpbf器件的电路,mosfet温度是最低的。 新器件有一个共用mz占位面积,可以方便地将应用转换至其他中电压directfet mosfet,例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100v irf6662器件。 新的irf6641trpbf directfet moset现已供货,其基本规格如下: ir已获专利的directfet mosfet封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。其金属罐结构可提供双面冷却功能,使应用于驱动先进微型处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理能力增加了一倍。此外,directfet封装内的器件均符合电子产品有害物质管制规定(rohs)。 相关文章 技术文库 • 采用多相操作技术提高升压型 ...
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