| 描述 | TRANS PNP GP BIPO 1W 30V TO-92 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 700mV @ 100mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 60 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | 50MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 供应商设备封装 | TO-92 | 包装 | 散装 |
【ON Semiconductor】MPSW55RLRAG,TRANS PNP GP BIPO 1W 60V TO-92
【Fairchild Semiconductor】MPSW56,TRANSISTOR PNP GEN PURP TO-226
【Fairchild Semiconductor】MPSW56_D26Z,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】MPSW56_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose