| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.4A SSOT6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 110 毫欧 @ 3.1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 290pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NDC652PTR |
【Fairchild Semiconductor】NDC652P_F095,MOSFET -30V 2.4A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC7001C,MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6
【Fairchild Semiconductor】NDC7001C_Q,MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N,MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N_Q,MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N_SB9G007,MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】NDC7003P,MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6