| 描述 | MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode | 漏极连续电流 | - 2.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 95 m Ohms | 配置 | Single Dual Drain |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-223 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 6 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 3 W | 上升时间 | 10 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDT2955_Q,MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
【Fairchild Semiconductor】NDT3055,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055_J23Z,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L_Q,MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN_J23Z,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223