| 描述 | MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 8V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 58 毫欧 @ 3.4A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 16nC @ 2.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 715pF @ 6.4V |
| 功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | ChipFET? |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTHD2102PT1GOSNTHD2102PT1GOS-NDNTHD2102PT1GOSTR |
产品型号:nthd2102pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):1源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60@-4.5v最大漏极电流id(on)(a):1通道极性:p/p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:-4.6a, -8v双功率mosfet价格/1片(套):￥2.60 来源:xiangxueqin ...
