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  • NTHD3101FT1G

NTHD3101FT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.1424
  • 6000$0.13377
  • 15000$0.12513
  • 30000$0.11478
  • 75000$0.11046
描述MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFETFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 3.2A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.4nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds680pF @ 10V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)其它名称NTHD3101FT1GOSTR

“NTHD3101FT1G”技术资料

  • NTHD3101FT1G的技术参数

    产品型号:nthd3101ft1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80最大漏极电流id(on)(a):4.400通道极性:p沟道封装/温度(℃):chipfet /-55~150描述:-20 v, -4.4 a功率mosfet价格/1片(套):¥2.76 来源:xiangxueqin ...

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