| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET | FET 特点 | 二极管（隔离式） |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 3.2A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 680pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | ChipFET? |
| 包装 | 带卷 (TR) |
产品型号:nthd3101ft3g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80最大漏极电流id(on)(a):4.400通道极性:p封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:20v,4.4a,p沟道mosfet,带肖特基二极管价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...
