| 描述 | MOSFET -20V -4.4A P-Channel | 漏极连续电流 | - 4.4 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 64 mOhms | 配置 | Single Dual Drain with Schottky Diode |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | ChipFET-8 | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 12.4 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 8 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1.1 W |
| 上升时间 | 11.7 ns | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
