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NTHD3100CT1

描述MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A,3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 2.9A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs2.3nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds165pF @ 10V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)

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