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NTHD2110TT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 6.4A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)850mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1072pF @ 6V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)

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