| 描述 | T8 60V LOW COSS | FET 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 技术 | - | 漏源电压（Vdss） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.1A（Ta），23A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | - | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | - | 供应商器件封装 | - |
| 封装/外壳 | - |
【ON Semiconductor】NTMFS4108NT1G,MOSFET NFET SO8FL 40A 30V 1.8mOhm
【ON Semiconductor】NTMFS4108NT3G,MOSFET N-CHAN 22A 30V SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4119NT3G,MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL
【ON Semiconductor】NTMFS4120NT1G,MOSFET 30V 31A Single N-Channel
【ON Semiconductor】NTMFS4120NT3G,MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL
