| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 | FET 型 | 2 个 P 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 770pF @ 6V | 功率 - 最大 | 600mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | TSMT6 | 包装 | 带卷 (TR) |
