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QS6K1

制造商：-
典型关断延迟时间：15 ns
典型接通延迟时间：7 ns
典型栅极电荷@Vgs：1.7 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds：77 pF V @ 10
安装类型：表面贴装

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参考价格

数量单价
10RMB2.03
100RMB1.65

产品属性

宽度	1.6mm	封装类型	TSMT
尺寸	2.9 x 1.6 x 0.85mm	引脚数目	6
最低工作温度	-55 °C	最大功率耗散	1250 mW
最大栅源电压	12 V	最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	0.238	最大连续漏极电流	1 A
最高工作温度	+150 °C	每片芯片元件数目	2
类别	功率 MOSFET	通道模式	增强
通道类型	N	配置	双
长度	2.9mm	高度	0.85mm

“QS6K1”电路图

QS6K1内部电路图
qs6k1内部电路如下图所示：来源:与你同行 ...

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