| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 | FET 型 | 2 个 P 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 125 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 337pF @ 10V | 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDC6310P-NDFDC6310PFSTR |
【Fairchild Semiconductor】FDC6310P_Q,MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDC6312P,MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6318P,MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6320C,MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6
【Fairchild Semiconductor】FDC6320C_Q,MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH
【Fairchild Semiconductor】FDC6321C,MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6