描述 | MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench | 漏极连续电流 | - 2.2 A |
---|---|---|---|
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.125 Ohms | 配置 | Dual |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SSOT-6 | 封装 | Reel |
下降时间 | 12 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 0.96 W | 上升时间 | 12 ns |
典型关闭延迟时间 | 10 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDC6312P,MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6318P,MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6320C,MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6
【Fairchild Semiconductor】FDC6320C_Q,MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH
【Fairchild Semiconductor】FDC6321C,MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6321C_Q,MOSFET SSOT-6 COMP N-P-CH