| 描述 | MOSFET N-CH/P-CHAN 30V SSOT6 | FET 型 | N 和 P 沟道 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A，2A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 95 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 282pF @ 15V | 功率 - 最大 | 700mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | FDC6333CTR |
【Fairchild Semiconductor】FDC633N,MOSFET N-CH 30V 5.2A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC633N_F095,MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】FDC634P,MOSFET P-CH 20V 3.5A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC636P,MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC636P_F095,MOSFET -20V -2.8A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】FDC637AN,MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
